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Angebot 56 von 163 vom 25.04.2024, 07:11

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Technische Universität Dresden - Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), Professur für Nanoelektronik

Die Tech­ni­sche Uni­ver­si­tät Dres­den (TUD) zählt als Exzel­lenz­uni­ver­si­tät zu den leis­tungs­stärks­ten For­schungs­ein­rich­tun­gen Deutsch­lands. 1828 gegrün­det, ist sie heute eine glo­bal bezo­gene, regio­nal ver­an­kerte Spit­zen­uni­ver­si­tät, die inno­va­tive Bei­träge zur Lösung welt­wei­ter Her­aus­for­de­run­gen leis­ten will. In For­schung und Lehre ver­eint sie Inge­nieur- und Natur­wis­sen­schaf­ten mit den Geis­tes- und Sozi­al­wis­sen­schaf­ten und der Medi­zin. Diese bun­des­weit her­aus­ra­gende Viel­falt an Fächern ermög­licht der Uni­ver­si­tät, die Inter­dis­zi­pli­na­ri­tät zu för­dern und Wis­sen­schaft in die Gesell­schaft zu tra­gen. Die TUD ver­steht sich als moderne Arbeit­ge­be­rin und will allen Beschäf­tig­ten in Lehre, For­schung, Tech­nik und Ver­wal­tung attrak­tive Arbeits­be­din­gun­gen bie­ten und so auch ihre Poten­ziale för­dern, ent­wi­ckeln und ein­bin­den. Die TUD steht für eine Uni­ver­si­täts­kul­tur, die geprägt ist von Welt­of­fen­heit, Wert­schät­zung, Inno­va­ti­ons­freude und Par­ti­zi­pa­tion.
Sie begreift Diver­si­tät als kul­tu­relle Selbst­ver­ständ­lich­keit und Qua­li­täts­kri­te­rium einer Exzel­lenz­uni­ver­si­tät. Ent­spre­chend begrü­ßen wir alle Bewer­ber:innen, die sich mit ihrer Leis­tung und Per­sön­lich­keit bei uns und mit uns für den Erfolg aller enga­gie­ren möch­ten.

wiss. Mitarbeiter:in / Doktorand:in (m/w/d)

An der Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), ist an der Professur für Nanoelektronik ab sofort eine Stelle als

wiss. Mitarbeiter:in / Doktorand:in (m/w/d)
(bei Vorliegen der persönlichen Voraussetzungen E 13 TV-L)

für 36 Monate (Beschäftigungsdauer gem. WissZeitVG) mit der Gelegenheit zur eigenen wiss. Weiterqualifikation (i. d. R. Promotion) zu besetzen.

Aufgabenbeschreibung:

Im Rahmen eines DFG-Projekts ist das Thema Memristives Kreuzpunktstruktur-Speicherrechnen auf Basis von Neurotransistoren / Neurotransistor-based Memristive Crossbar Memcomputing (NeuroMCross) wiss. zu untersuchen. Dabei sollen hybride Memristor-Crossbar Strukturen auf der Steuerelektrode eines siliziumbasierten Feldeffekttransistors hergestellt, elektrisch charakterisiert und modelliert werden. Der an der Professur bestehende Reinraum sowie die angeschlossenen Forschungsräume sollen zur Herstellung und Strukturierung von einzelnen resistiven Schaltelementen, von integrierten transistor-basierten Schaltelementen mit funktionalisierter Steuerelektrode(n) und zur Fabrikation von Matrix-Strukturen genutzt werden. Es wird eine Vielzahl von halbleitertechnologischen Anlagen und Prozessen, auch mit Partnern (insb. im Reinraum/Forschungslabor der NaMLab gGmbH) eingesetzt, z. B. UV-Kontaktlithografie, thermische Oxidation/Diffusion oder ALD/CVD/PVD. Die elektrische Charakterisierung erfolgt über DC und transiente Messmethoden, um die Schalteigenschaften der Transistoren und Matrixstrukturen sowie das Speicherverhalten der memristiven Bauelemente zu überprüfen. Die Modellierung der memristiven und memkapazitiven Eigenschaften ist Teil des Projekts und soll mit unterstützt werden. Eine enge wiss. Zusammenarbeit mit anderen Forschergruppen (Namlab gGmbH, Professur für Grundlagen der Elektrotechnik der TUD), regelmäßige Projekttreffen, die Teilnahme an Konferenzen sowie das Veröffentlichen in wiss. Fachzeitschriften wird erwartet.

Erwartete Qualifikationen:

überdurchschnittlicher wiss. Hochschulabschluss auf dem Gebiet der Elektrotechnik, Physik, Materialwissenschaft oder einer verwandten Fachrichtung. Ferner werden sehr gute Englischkenntnisse, hervorragende Teamfähigkeit und eine selbstständige und eigenverantwortliche Arbeitsweise erwartet. Erfahrungen im Arbeiten in einer Reinraumumgebung sowie in der praktischen Durchführung von Dünnschichtprozessen und/oder -analysen an Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen sowie Kenntnisse auf dem Gebiet der elektrischen Charakterisierungsmethoden sind erwünscht.

Hinweise zur Bewerbung:

Die TUD strebt eine Erhöhung des Anteils von Frauen an und bittet diese deshalb ausdrücklich um deren Bewerbung. Die Universität ist eine zertifizierte familiengerechte Hochschule und verfügt über einen Dual Career Service. Bewerbungen schwerbehinderter Menschen sind besonders willkommen. Bei gleicher Eignung werden diese oder ihnen Kraft SGB IX von Gesetzes wegen Gleichgestellte bevorzugt eingestellt.

Ihre aussagekräftige Bewerbung senden Sie bitte mit den üblichen Unterlagen bis zum 22.05.2024 (es gilt der Poststempel der Zentralen Poststelle bzw. der Zeitstempel auf dem E-Mail-Server der TUD) bevorzugt über das SecureMail Portal der TUD https://securemail.tu-dresden.de in einem PDF-Dokument an nanoelektronik@tu-dresden.de bzw. an: TU Dresden, Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), Professur für Nanoelektronik, Herrn Prof. Dr.-Ing. Thomas Mikolajick, Helmholtzstr. 10, 01069 Dresden. Ihre Bewerbungsunterlagen werden nicht zurückgesandt, bitte reichen Sie nur Kopien ein. Vorstellungskosten werden nicht übernommen.

Hinweis zum Datenschutz: Welche Rechte Sie haben und zu welchem Zweck Ihre Daten verarbeitet werden sowie weitere Informationen zum Datenschutz haben wir auf der Webseite https://tu-dresden.de/karriere/datenschutzhinweis für Sie zur Verfügung gestellt.